中芯国际从250纳米起步，到今天14纳米FinFET量产，第二代FinFET工艺已经进入客户导入阶段

　　中芯国际从250纳米起步，到今天14纳米FinFET量产，第二代FinFET工艺已经进入客户导入阶段。

　　2001年9月25日，中芯国际上海FAB 1举行了投产庆典，第一片0.25微米产品上线日，中芯国际宣布通过发行优先股（Series A Preferred Shares）的方式进行增资扩股，上海实业（集团）有限公司出资1.84亿美元青岛城市发展历史，占股17%，成为第一大股东青岛城市发展历史，高盛（Goldman Sachs）、汉鼎亚太（H&Q Asia Pacific）、华登国际（Walden）和淡马锡（Temasek）旗下祥峰投资管理集团（Vertex Management）各出资1亿美元，分别占股10%，其余11名股东持股1%-10%不等。

　　2001年12月20日，中芯国际与东芝（Toshiba）共同宣布技术授权和代工协定，中芯国际获得东芝低功率静态存组器（Low Power SRAM）0.21微米制程技术。

　　2001年12月21日，中芯国际和特许半导体（Chartered）共同宣布缔结联盟，中芯国际获得线微米标准逻辑制程技术以及特许半导体所赋予的专利使用权。

　　2002年2月1日，中芯国际与富士通（Fujitsu）宣布代工协定，中芯国际于上海工厂为富士通代工制造0.22微米和0.18微米FCRAM（Fast Cycle RAM）。

　　2002年4月22日，中芯国际宣布与比利时微电子研究中心（imec）已经签署合作意向书，并在半导体工艺先进制程研发领域建立长期合作伙伴关系。双方将在先进的半导体工艺技术方面进行信息交流，中芯国际将参与比利时微电子研究中心大部分有关硅加工工艺技术的工业合作项目（imec industrial affiliation programs，IIAPs）。

　　2002年12月9日，中芯国际和英飞凌（Infineon）宣布签订生产DRAM的合作协议常见的城市景观设计，英飞凌将其0.14微米的DRAM沟槽（Trench）技术转移给中芯国际，并在今后考虑转移0.11微米技术。中芯国际上海8英寸厂房装配有0.14微米生产技术的设备，预计产品将于2003年年中通过技术认证。随着中芯国际厂房设备的进展，预计该项合作将使英飞凌2005年的月投片提高20000片。

　　2002年12月27日，中芯国际和尔必达公司（Elpida）签署一份为期五年的芯片代工协议，根据协议，在初期合作计划中，尔必达将把该公司的0.13微米的堆叠（Stacked）DRAM交给中芯国际位于上海的8英寸厂房生产，而中芯国际将自2003年内起，为尔必达代工生产。

　　2003年1月9日，中芯国际和东芝共同宣布技术授权和代工协议，东芝将0.15微米低功率静态存储器制程技术转让给中国上海的中芯国际，加强了双方的策略联盟关系。

　　2003年9月15日，中芯国际发表声明，称其已向原有股东和新投资人私募成功，获6.3亿美元。新一轮投资者包括上海实业、汉鼎亚太、华登国际、祥峰投资管理集团，还包括新的投资者New Enterprise Associates（NEA）、Oak Investment Partners、北大微电子（香港）和其他策略投资人等。

　　2003年10月24日，中芯国际和摩托罗拉（Motorola）宣布签署长期策略合作协议。摩托罗拉将位于天津的MOS17转移给中芯国际，换取其股份；双方还将在专利和先进CMOS制程技术授权领域展开合作。

　　2004年1月16日，中芯国际与摩托罗拉完成转移位于天津的MOS17于的全部事宜。与此同时，双方建立策略代工伙伴关系。中芯国际将作为摩托罗拉的策略代工伙伴，为摩托罗拉提供从MOS17到其他芯片厂的全面技术支持。此外，双方在专利和先进CMOS制程技术授权领域也展开合作。摩托罗拉获11.4%的股份。随后中芯国际投资7.1亿美元在行扩产，建设满足0.13微米的生产线日，中芯国际在美国纳斯达克发行预托证券（ADR），成为首家在美国纳斯达克挂牌上市的中国晶圆制造公司。

　　2004年3月18日，中芯国际集成电路制造有限公司在香港主板上市，发行股票25757.6万股，每股发行价2.69港元，共募集资金692879440港元。上海实业持股摊薄至13.6%，为第一大股东。

　　2004年6月2日，中芯国际位于北京的12英寸生产线月，中芯国际的凸块生产线英寸生产线英寸晶圆生产线在北京正式投产，开始为英飞凌110纳米、尔必达100纳米产品代工512Mb DDR2 SDRAM。

　　2004年9月28日，采用中芯国际0.18微米工艺成功的64位微处理器龙芯2C芯片DXP100流片成功。

　　2004年10月，中芯国际的凸块生产线第一批产品成功地通过了可靠性验证，良率在98%以上。为了提供全方位的CMOS成像传感晶圆代工服务，中芯国际和日本凸版印刷株式会社于2004年合资成立了凸版中芯彩晶电子（上海）有限公司，在中芯国际上海厂区专业生产CMOS成像传感器芯片专用的芯载彩色滤光镜和微镜头。

　　2005年1月30日，中芯国际和台积电的专利及商业机密诉讼案达成和解。和解协议中规定，中芯国际将在六年内以分期方式支付台积电17500万美元；台积电也将撤销在美国联邦法院、美国加州地方法院、美国国际贸易委员会、以及新竹地方法院所有正在进行中的诉讼案件；然而，台积电仍保留再提告诉的权利。此项协议中同时载明，到2010年12月底止常见的城市景观设计，双方就相关专利进行交互授权。在此项协议当中，台积电不允许中芯国际使用台积电的商业机密，但同意针对某些特定台积电的商业机密不对中芯国际提出告诉。

　　2005年3月，中芯国际北京FAB4正式量产，使用0.11微米及0.10微米生产工艺为英飞凌、尔必达制造512Mb DDR2 SDRAM，首季12英寸晶片的产能约为4550片。

　　2006年1月6日，中芯国际和英飞凌共同宣布，双方已经签署合作协定，进一步扩展在DRAM产品生产领域中的现有合作，开始90纳米工艺产品合作生产。根据协议，英飞凌将90纳米DRAM沟槽技术和12英寸产品生产技术转让于中芯国际北京，并可以在未来期间灵活进行其70纳米技术的进一步转让。预计在2006年中期完成产品的最终验证后，中芯国际将开始将其目前用于英飞凌110纳米DRAM产品的12英寸生产线片。

　　2007年8月21日，中芯国际和奇梦达（Qimonda）共同宣布，双方已经签署合作协定，进一步扩展在DRAM产品生产领域中的现有合作，开始80纳米工艺产品合作生产。根据协议，奇梦达将80纳米DRAM沟槽技术和12英寸产品生产技术转让于中芯国际北京，并可以在未来期间灵活进行75纳米技术的进一步转让。

　　2007年10月24日，中芯国际和飞索（Spansion）宣布展开合作，飞索将向中芯国际转让65纳米MirrorBit技术，从而使中芯国际进入特定的快闪存储器细分市场。

　　2007年12月10日，中芯国际上海12英寸（FAB8）成功投产进入正式运营阶段。FAB8于2005年10月开工建设，2007年5月设备迁入，7月开始试生产90纳米及以下逻辑芯片。

　　2007年12月24日，中芯国际和IBM联合宣布，双方已签订45纳米bulk CMOS技术许可协定。根据协定，IBM将会把45纳米bulk CMOS技术转移给中芯国际，此技术可用于移动通讯产品的应用，例如整合了3G、多媒体、图像处理以及芯片组功能的高端手机。

　　2008年09月10日，S2/FAB 8以“零缺陷”的优异成绩通过了BSI ISO27001:2005信息安全体系的扩大认证审核，成为中芯国际第一个通过ISO 27001信息安全认证的芯片制造生产线。信息安全是取得客户信赖的基础，也是公司拓展业务的一个重要的通行证。中芯国际非常注重保护客户的IP，不仅严格控制生产中IP的使用以确保客户的利益，而且建有安全的独立数据存储和网络环境。通过ISO 27001认证，将促使我们更加精益求精，进一步加大保护客户信息安全的力度，强化自身优势，成为广大客户的最佳合作伙伴。

　　2008年9月22日，中芯国际和飞索宣布扩大合作，飞索将向中芯国际转让43纳米MirrorBit技术。

　　2008年10月23日，中芯国际宣布成功开发0.11微米CMOS图像传感器（CIS）工艺技术，同时适用于铝和铜后端金属化工艺，可广泛应用于摄像手机、个人计算机、工业和安全市场等领域。

　　2008年11月10日，中芯国际宣布和大唐电信科技产业控股有限公司达成股权购买协议，大唐控股以1.718亿美元获得了中芯国际16.6%股份，成为最大股东常见的城市景观设计。

　　2008年12月8日，中芯国际宣布，第一批45纳米产品成功通过良率测试，标志着45纳米工艺进入一个新的里程。

　　2009年1月21日，中芯国际宣布发布三套自主设计的65纳米标准单元库的初始版本。该单元库包括一套高性能的超高速（VHS）单元库、一套密度和速度优化的高速（HS）单元库、以及高速单元库的功耗管理工具包（PMK）。

　　2009年5月15日，中芯国际宣布为自主开发的65纳米低漏电工艺提供一整套IP产品给客户，其中包括一组六款的存储器编译器的初始版本，广泛应用在消费性电子应用的设计方面，例如手机、移动多媒体播放器、全球定位系统、数位电视、机顶盒和移动存储设备等。

　　2009年6月30日，中芯国际宣布45纳米高性能工艺在首批完整流程芯片上获得良率验证，适用于更多应用，包括系统级芯片，图形和网络处理器，电信和无线消费电子产品，并作为技术平台，应用于快速成长的中国市场。中芯国际与IBM于2007年12月签订了45纳米bulk CMOS技术许可协议，该技术转移已于2009年3月成功完成。

　　2009年11月10日，中芯国际宣布王宁国（David N.K. Wang）博士接替张汝京担任总裁兼首席执行官。

　　2009年11月，中芯国际和台积电达成和解，台积电获得17.89亿新股，约占8%股权，成为第三大股东。

　　2009年11月18日，中芯国际深圳12英寸厂房封顶，建成后将引进IBM先进的45纳米工艺技术。

　　2010年7月，中芯国际第一次新股配售，总额15亿股，筹资1亿美元，配售后股权变为：大唐控股14.35%、上海实业8.7%、台积电6.94%、北大微电子2.58%。

　　2010年8月3日，中芯国际宣布，北京基地12英寸65纳米工艺成功进入量产，自2009年第三季开始出货累计已超过10000片。

　　2011年3月15日，中芯国际宣布，正式启用“蓝橙组合、代表高科技与活力”的企业新形象标识。新形象标识中，科技蓝代表着高科技企业，沉稳、创新和高效；橙色和金黄渐变色，代表着中芯国际更富有和活力，也象征着不断收获的喜悦。

　　2011年4月19日，中芯国际宣布与中投公司达成投资协议。根据协定条款，中投公司将投资中芯国际2.5亿美元，以每可转换优先股5.39港元获得360589053股的可转换优先股。新股发行及转换后，中投公司拥有中芯国际已发行约11.6%的股权，成为第二大股东。6月完成。

　　2011年7月18日，中芯国际集宣布，张文义先生获委任为中芯国际董事长、执行董事及代理首席执行官，未来将继续物色适当的人选填补首席执行官的职务。

　　2011年8月5日，中芯国际宣布，邱慈云（Chiu Tzu-Yin）博士获委任首席执行官兼执行董事。

　　2012年5月15日，中芯国际与北京市经济和信息化委员会、北京经济技术开发区管理委员会共同签署合作框架文件，以合资的方式建设中芯北京二期项目（中芯北方）。中芯北京于2006年实现90纳米技术产品量产常见的城市景观设计，2009年实现65纳米技术产品量产，2011年实现55纳米技术产品量产。中芯北京二期项目将在北京市政府的支持下在现有的厂区内建设新厂房，并引入45/40纳米以及32/28纳米的生产设备，实现先进技术节点产品的量产。

　　2012年12月20日，中芯国际宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像，将于2013年与客户伙伴进行试产。2005年中芯国际提供前照式CMOS影像传感工艺以来，中芯国际即成为CMOS成像传感芯片的主要晶圆代工厂商，主要应用于手机及消费电子。

　　2013年4月25日，原北区运营资深副总裁赵海军博士获任中芯国际首席运营官。赵海军博士于2010年加入中芯国际，2011年9月担任北区运营中心副总裁，2012年6月升任为资深副总裁。

　　2013年6月3日，中芯国际及子公司中芯国际集成电路制造（北京）有限公司与北京工业发展投资管理有限公司、中关村发展集团共同签署合同，成立合资公司--中芯北方集成电路制造（北京）有限公司，建设中芯北京二期项目。预计投资总额为35.9亿美元，专注于45纳米及更精细集成电路的量产，预期目标产能达到每月35000片晶圆。

　　2013年10月，发行每股20万美元可换股债券，总值2亿美元，大唐和中投行使优先认购权，分别认购5460万美元、3220亿美元，股权变为19.05%、11.23%。

　　2013年11月30日，中芯北方12英寸厂（B2A）封顶。B2A厂宽133米，长201米，单层28000平方米，整体建筑面积达91000平方米，工厂建成后将引入45/40纳米以及32/28纳米2条产能各为3.5万片的生产线纳米的芯片在国内量产“零”的突破，进一步减弱国内高技术芯片对进口的依赖。

　　2014年1月26日，中芯国际宣布正式进入28纳米工艺时代。28纳米工艺拥有来自中芯国际设计服务团队以及多家第三方IP合作伙伴的100多项IP，可为全球集成电路（IC）设计商提供包含28纳米多晶硅（PolySiON）和28纳米高介电常数金属闸极（HKMG）在内的多项目晶圆（MPW）服务。这是中芯国际发展历程中的重要里程碑，标志着中芯国际生产及研发能力的极大提升。进入28纳米工艺时代，夯实了公司在移动计算相关IC制造领域中的有利地位。中芯国际首个包含28PolySiON和28HKMG的多项目晶圆流片服务已于2013年年底推出，供客户进行产品级芯片验证。

　　2014年6月5日，中芯国际发行本金额9500万美元2018年到期零息可换股债券，大唐和Country Hill潜在行使优先认购权。

　　2014年6月24日，《国家集成电路产业发展推进纲要》正式发布，成为我国集成电路产业发展重要战略机遇期和攻坚期的重要指导纲要，掀开了中国集成电路发展新的里程碑。

　　2014年6月24日，中芯国际宣布，与日本凸版印刷(Toppan)的合资公司凸版中芯彩晶电子（上海）有限公司（TSES）合作的国内首条12英寸芯载彩色滤光片和微镜生产线已建成投产，结合中芯国际12英寸CMOS图像传感器（CIS）晶圆生产线英寸CIS产业链。

　　2014年9月26日，国家集成电路产业投资基金股份有限公司（大基金）正式成立，募集资金1387.2亿元。

　　2014年7月3日，中芯国际和高通（Qualcomm）扩大了在28纳米工艺节点上的合作，高通宣布将旗下的部分28纳米芯片交给中芯国际代工制造。

　　2014年12月17日常见的城市景观设计，中芯国际宣布位于深圳的8英寸晶圆厂正式投产，这是中国华南地区第一条8英寸生产线投入使用。同时这也是今年《国家集成电路产业发展推进纲要》出台后，国内第一条投产的集成电路生产线日，中芯国际和高通共同宣布，双方合作的28纳米骁龙410处理器成功制造，这是双方在先进工艺制程和晶圆制造合作上的重要里程碑。之前在7月，双方宣布了在28纳米晶圆制造方面达成合作的初步计划。

　　2015年2月13日，中芯国际与大基金达成一项投资协议。根据协议规定，大基金将以每股0.6593港元的认购价认购47亿股新股份。这笔投资将会用作中芯国际的资本支出、债务偿还以及整体运营支出，约占发行后新股本的11.58%。

　　2015年6月23日，中芯国际、华为、比利时微电子研究中心、高通举行签约仪式，宣布共同投资中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司，开发下一代CMOS逻辑工艺，打造中国最先进的集成电路研发平台。

　　2015年8月10日，中芯国际宣布采用其28纳米工艺制程的高通骁龙410处理器已成功应用于主流智能手机，这是28纳米核心芯片实现商业化应用的重要一步，开启了先进手机芯片制造落地中国的新。

　　2016年2月16日，中芯国际和联芯科技（Leadcore）共同宣布，中芯国际28纳米高介电常数金属闸极（HKMG）制程已成功流片，基于此平台，联芯科技推出适用于智能手机等领域的28纳米SoC芯片，包括高性能应用处理器和移动基带功能，目前已通过验证，准备进入量产阶段。

　　2016年6月22日，中芯国际宣布北京厂成功量产高通骁龙28纳米系列产品，这是继高通骁龙410处理器在中芯国际上海厂成功量产后，中芯国际再次取得重大进展。中芯国际成功完成由上海母厂至北京厂的技术转移青岛城市发展历史，并相继通过骁龙425和MDM9x07两颗新产品的客户验证，在北京厂进入批量生产。骁龙425在北京厂的成功量产，标志着中芯国际在28纳米技术节点又向前跨出了重要的一步。28纳米在北京工厂的成功量产，使得中芯国际28纳米迈上了一个新的台阶，进一步巩固了中芯国际作为中国内地晶圆代工龙头企业的地位，提高了中芯国际在全球先进工艺晶圆代工领域的竞争力。

　　2016年6月24日，中芯国际宣布出资4900万欧元，收购由LFoundry Europe GmbHLFE以及Marsica Innovation S.p.A.控股的意大利LFoundry的70%股份。这也是中国内地集成电路晶圆代工业首次成功布局跨国生产基地，标志着中芯国际在国际化的道路上迈进了一大步，中芯国际也将凭借此项收购正式进驻全球汽车电子市场。

　　2016年7月6日，中芯国际和深圳出入境检验检疫局签订《进口成套设备检验合作备忘录》，这意味着坪山新区投建的华南地区首条12英寸集成电路生产线进入建设阶段。根据备忘录，深圳检验检疫局将为该公司即将进口的2.18亿美元成套设备提供全方位的监管服务。

　　2016年10月13日，中芯国际在上海厂区举行新的12英寸集成电路生产线英寸集成电路生产线纳米工艺节点，投资百亿美元（675亿元），满产后规模可达每月7万片，产品主要面向新一代移动通讯和智能终端领域。

　　2016年10月18日，中芯国际宣布正式启动中芯天津产能扩充项目，新增投资15亿美元，该项目建成达产后有望成为世界上单体规模最大的8英寸集成电路生产线常见的城市景观设计。中芯国际天津公司位于天津西青经济技术开发区，目前拥有一条成熟工艺的8英寸集成电路生产线万片月产能青岛城市发展历史。该扩建项目全部达产后中芯天津月产能将达15万片8英寸晶圆。厂房进度和产能安排将按客户市场需求而定。主要产品应用方向包括物联网相关、指纹识别、电源管理、数模信号处理、汽车电子等。

　　2016年11月3日，中芯国际宣布，配合物联网时代对于集成电路芯片大规模的需求，将在深圳现有厂区已建好的厂房内青岛城市发展历史，启动建设一条12英寸集成电路生产线项目，产品方向定位于主流成熟技术。这是华南地区第一条12英寸集成电路生产线年底投产，届时将根据客户需求扩充产能，预期目标产能将达每月4万片晶圆。

　　2017年10月16日，中芯国际宣布任命赵海军博士、梁孟松博士为中芯国际联合首席执行官兼执行董事。

　　2017年第4季度，中芯国际深圳12英寸生产线月，中芯国际完成新股配售3.3亿美元，并且完成发行6500万美元永续可转换证券。

　　2018年7月12日，由中芯国际联合上下游合作单位共同创建的北方集成电路创新中心正式揭牌，这是一个开放性的、实体性的集成电路产业协作平台，将为北京地区设计企业、科研院所提供试制平台，为装备和材料企业提供验证平台，有助于加快北京打造全国集成电路产业的技术创新中心。

　　2018年8月，中芯国际完成向大基金配售约0.78亿美元新股以及3亿美元永续可转换证券。交易完成后，2018年9月30日，大唐17.01%，鑫芯15.77%，紫光6.93%，其余持股者持股比例不超过5%。

　　2019年10月22日，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司正式成立，募集资金2041.5亿元。

　　2018年第4季度，中芯国际第一代14纳米FinFET技术进入客户验证阶段，产品可靠度与良率进一步提升；同时，12纳米的工艺开发也取得突破。

　　2019年第1季度，上海中芯南方FinFET工厂顺利建造完成，开始进入产能布建；12纳米工艺开发进入客户导入阶段；第二代FinFET研发在过去积累的基础上进度喜人。

　　2019年5月24日，中芯国际发布公告称，公司董事会批准将其美国预托证券股份从纽约证券交易所退市。

　　2019年6月27日，中芯国际发布公告称，出售LFoundry给无锡锡产微芯半导体有限公司，交易金额为1.13亿美元。

　　2019年第2季度，第一代14纳米FinFET进入客户风险量产；第二代FinFET N+1技术平台开始进入客户导入阶段。

　　2019年第3季度，第一代14纳米FinFET已成功量产；第二代FinFET工艺N+1研发稳步推进，客户导入进展顺利。

　　2020年2月20日，中芯国际在全球资本市场顺利完成5年期美元公司债券的发行定价工作，募集资金6亿美元，票面利率2.693%。本次发行是公司时隔6年再次重返国际债券市场，以BBB-的国际评级取得了TMT行业内A-评级公司的票息水平，体现出全球资本市场对于中芯国际近年来信用结构、财务战略与产业发展的高度认同，中芯国际在全球资本市场的融资能力和定价基准迈上了一个新的台阶。